闪迪首款高带宽闪存晶粒完成流片，面向AI推理场景

10月29日，闪迪（SanDisk）在2027财年第一财季财报电话会议上宣布，首款高带宽闪存（HBF）存储晶粒已完成流片并进入制造阶段。HBF面向AI推理场景，旨在提供接近HBM的读取带宽，同时具备NAND级的大容量，首批产品样品计划于2027年交付。

根据闪迪的介绍，HBF可用于支撑更大模型、更长上下文和持续增长的KV缓存。此外，市场正在探索以SLC NAND替代部分高成本DRAM，在AI推理中承担容量层角色，帮助系统保留更广泛上下文，减少重复计算。闪迪高管同时表示，AI推理正在重塑NAND闪存市场需求格局，客户普遍低估了运行AI基础设施所需的NAND容量，公司的新型商业模式（NBM）订单管道已延伸至2030年，2027财年约50%的位元出货已被NBM协议锁定，2028财年这一比例预计升至约三分之二。