长鑫存储拟两个月内启动HBM3E限量生产，已向国内AI芯片商送样

据路透社10月29日援引匿名消息人士报道，长鑫存储（CXMT）计划在未来两个月内开始限量生产HBM3E芯片，并已向多家中国AI芯片设计商送样。HBM3E是一种先进的高带宽内存，通常与AI处理器搭配使用，通过垂直堆叠存储芯片实现高速度、大容量数据传输。

消息人士透露，目前长鑫存储HBM3E芯片的良率仅在20%至30%之间，意味着大部分产出的芯片无法满足规格要求，生产成本和供应规模因此受限。相比之下，全球HBM市场领先厂商SK海力士的良率据报约为70%。在性能方面，长鑫存储的HBM3E芯片表现更接近SK海力士较早的HBM3产品。

当前美国对华出口限制涵盖先进存储芯片及制造设备，中国厂商获取所需高端存储的渠道受限，部分转而通过非官方渠道高价采购。长鑫存储推进HBM3E量产，也被视为中国发展自主AI处理器供应链的一部分。该公司未立即回应置评请求。