三星与SK海力士升级中国工厂，生产超200层NAND应对AI存储需求
10月21日，据媒体报道，三星电子与SK海力士计划升级其位于中国的工厂，生产堆叠层数超过200层的NAND闪存芯片，以应对AI存储需求增长，并反击长江存储在中国市场的竞争。
知情人士透露，两家公司正努力将中国工厂的制造能力提升至韩国本土水平。受美国自2022年起实施的芯片设备出口管制影响，三星与SK海力士中国厂房的技术升级此前受限，市场份额逐步被长江存储侵蚀。研究机构Omdia数据显示，2026年第二季度长江存储在中国NAND市场的占有率达38.5%，超过三星的33.5%和SK海力士的17%。
具体来看，三星西安厂目前生产约200层NAND芯片，占其全球NAND总产量约40%。该厂已启动内部代号“Monami”的项目，拟将产线转换为286层V9 NAND，目标2026年12月实现每月5000片晶圆产能，2027年12月提升至4万片。三星表示，此次升级符合美方法规，旨在满足全球客户需求，并非扩充总产能。SK海力士则计划将大连厂目前生产的192层产品升级至240层或以上。该厂为2021年收购英特尔NAND业务所得，现为旗下筹备赴美上市子公司Solidigm唯一的NAND生产基地。
- 2026-10-21 19:49 | 观点网：三星、SK海力士计划升级中国工厂 生产超过200层的NAND芯片阅读原文
观点网讯：10月21日，据媒体报道，三星电子与SK海力士正计划升级其中国工厂，生产更先进的NAND闪存芯片，以应对AI存储需求增长，并反击长江存储在中国市场的竞争。 知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产堆叠层数超过200层的NAND芯片，核心是将制造能力提升至韩国本土水平。 报道称，美国自2022年起实施芯片设备出口管制，三星与SK海力士中国厂房的技术升级受限，市场份额逐步被长江存储啃食。 研调机构Omdia数据显示，今年第二季长江存储于中国NAND市场的市占率为38.5%，超越三星的33.5%及SK海力士的17%。 三星西安厂目前生产约200层NAND芯片，占其全球NAND总产量约40...
- 2026-10-21 17:15 | IT之家：三星电子、SK 海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片阅读原文
IT之家 10 月 21 日消息，据路透社今日援引知情人士消息，三星电子、SK 海力士正在升级中国工厂，以生产更先进的闪存芯片。IT之家从原报道获悉，美国自 2022 年起限制部分芯片制造设备出口，因此这两家韩国半导体巨头，一直面临如何分配在华业务投资规模的棘手问题。三星电子和 SK 海力士每年需要向美国申请许可证，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美国制造产品。美国商务部工业与安全局还在去年表示，无意批准这些外国芯片制造商升级中国工厂的技术。这种监管限制削弱了他们的扩产能力，也导致部分市场份额让给长江存储。三星电子对此回应称，公司正推进相关升级工作，并与美政府保持密切沟通。SK 海力士则表示，公司...