长鑫科技宣布第五代存储芯片技术平台正式量产
9月20日，存储芯片厂商长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布，其第五代存储芯片技术平台正式进入量产。
据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比达45:1，核心动能区高度降至6762纳米。第五代工艺平台的存储密度大幅提升，同等条件下，每张晶圆产出较上一代平台提升50%以上。
基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产，并全面进入国产主流旗舰手机。
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- 2026-09-20 18:37 | 财联社：长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产阅读原文
长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产2026-09-20 11:57 星期日澎湃新闻 秦盛责编 谭华①9月20日2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。 ②该平台内存阵列有源区半间距为11.95纳米，同等条件下每张晶圆产出较上一代提升50%以上。 ③基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。 据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条...